PM6401WD-场效应管(MOS)-上海皋德电子科技有限公司-电子元器件芯片代理超级电容定制销售

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PM6401WD

产品分类：场效应管(MOS) 推荐指数：晶导微 PM6401WD 是 SOT-23 封装的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进沟槽工艺，反向耐压 - 12V、连续漏电流 - 4.3A，导通电阻低至 50mΩ，栅极电荷仅 15nC，兼具低损耗与高速开关特性。产品漏电流小、开关速度快，工作温度范围 - 55℃~+150℃，稳定性强，适配 PWM 控制、负载开关与电源管理场景，广泛用于消费电子、工控设备等领域。皋德科技提供原厂正品保障，现货供应，支持批量采购与技术选型服务。订购热线：021－52970688

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